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MR0A08BMA35R
MRAM(磁阻 RAM)存储器 IC 1Mbit 并行 35 ns 48-FBGA(8x8)

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技术规格
访问时间35 ns
基本产品编号MR0A08
生命周期状态Active
内存格式RAM
内存接口Parallel
记忆组织128K x 8
内存大小1Mbit
内存类型Non-Volatile
制造商Everspin Technologies Inc.
安装方式Surface Mount
工作温度0°C ~ 70°C (TA)
封装/箱体48-LFBGA
包装
Tape & Reel (TR)
参数编程Supported
系列-
封装类型(制造商)48-FBGA (8x8)
技术MRAM (Magnetoresistive RAM)
电源电压3V ~ 3.6V
写入周期 (Twc)35ns

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扩展链接
Datasheets
PCN Assembly/Origin
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8542.32.0071(其他;不适用进口关税)
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