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MR20H40DF
MRAM(磁阻 RAM)存储器 IC 4Mbit SPI 50 MHz 8-DFN-EP,小标志 (5x6)

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安博睿电子元件编号
ABR774-MR20H4-1023583
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Obsolete
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包装
Tray
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技术规格
基本产品编号MR20H40
时钟频率50 MHz
生命周期状态Obsolete
内存格式RAM
内存接口SPI
记忆组织512K x 8
内存大小4Mbit
内存类型Non-Volatile
制造商Everspin Technologies Inc.
安装方式Surface Mount
工作温度0°C ~ 70°C (TA)
封装/箱体8-VDFN Exposed Pad
包装
Tray
参数编程Supported
系列-
封装类型(制造商)8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
技术MRAM (Magnetoresistive RAM)
电源电压3V ~ 3.6V
写入周期 (Twc)-

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环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8542.32.0071(其他;不适用进口关税)
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