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技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)130mA
漏源电压 (VDS)50 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))45V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型P-Channel
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)45 pF @ 25 V
生命周期状态Active
制造商Diotec Semiconductor
安装方式Surface Mount
工作温度150°C (TJ)
封装/箱体SC-70, SOT-323
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
最大功率耗散200mW
RDS(on) 漏极至源极导通电阻10Ohm @ 130mA, 10V
系列-
封装类型（制造商）SOT-323
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）2V @ 1mA
环境及出口分类
RoHS 合规性不受 RoHS 指令约束
MSL 级别不要求
REACH 法规等待供应商确认
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.21.0095（其他；不适用进口关税）
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