图片仅供参考,以实物为准。
MMBTRC102SS
预偏置双极晶体管 (BJT) NPN - 预偏置 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装 SOT-23-3 (TO-236)

1:¥0.9360

订单超过 2000 元的注册安博睿用户可享受 100 元折扣。
安博睿电子元件编号
ABR292-MMBTRC-2110307
生命周期状态
Active
预计交货时间
2 周
样品获取免费样品
服务
保证正品
技术支持
快速退款
免费送货(超过960元)
开具发票
24/7 人工服务
库存: 2100
从深圳或香港仓库发货
Min.&Mult.1
包装
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
发货时间24小时内
* 数量
单价¥0.9360
总价¥0.9360
加入购物车
发送目标价格
询价
* 价格不含税,所有价格人民币为单位。
价格梯度
数量单价总价
1¥0.9360¥0.9360
10¥0.6600¥6.6030
100¥0.3560¥35.5520
500¥0.2760¥137.8550
1000¥0.1960¥195.8980
* 价格仅供参考,可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
基本产品编号MMBTRC102
集电极电流 (Iᴄ)@25°C100 mA
集电极截止电流 (Iᴄᴇs)(最大值)500nA
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 5V
频率 - 过渡200 MHz
生命周期状态Active
制造商Diotec Semiconductor
安装方式Surface Mount
封装/箱体TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
功率 - 最大200 mW
电阻器-基极(R1)10 kOhms
电阻器 - 发射极基极(R2)10 kOhms
系列-
封装类型(制造商)SOT-23-3 (TO-236)
晶体管类型NPN - Pre-Biased
Vce 饱和度(最大值)@ Ib, Ic-
集电极-发射极击穿电压(最大值)50 V

1. 这些参数没有经过人工审核,可能包含错误,请仔细验证

2. 或者,请联系我们的销售代表获取所需数据

info@Abrmicro.com
扩展链接
Environmental Information
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别不要求
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.21.0075(工作频率不低于100MHz;免征进口税)
相关产品
BC546BBK¥0.9940
双极 (BJT) 晶体管 NPN 65 V 100 mA 300MHz 500 mW 通孔 TO-92
N 沟道 60 V 350 mA 223 mW 表面贴装 DFN1006-3
DIT095N08¥7.0020
N 沟道 80 V 95 A (Tc) 170 W (Tc) 通孔 TO-220AB
场效应晶体管阵列 60V 300mA 295mW 表面贴装 SOT-363
MMBTRC106SS¥0.9360
预偏置双极晶体管 (BJT) NPN - 预偏置 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装 SOT-23-3 (TO-236)