图片仅供参考,以实物为准。
MMFTN620KDW-AQ
场效应晶体管阵列 60V 350mA (Ta) 320mW (Ta) 表面贴装 SOT-363

1:¥2.6630

订单超过 2000 元的注册安博睿用户可享受 100 元折扣。
安博睿电子元件编号
ABR289-MMFTN6-2778875
生命周期状态
Active
预计交货时间
2 周
样品获取免费样品
服务
保证正品
技术支持
快速退款
免费送货(超过960元)
开具发票
24/7 人工服务
库存: 2100
从深圳或香港仓库发货
Min.&Mult.1
包装
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
发货时间24小时内
* 数量
单价¥2.6630
总价¥2.6630
加入购物车
发送目标价格
询价
* 价格不含税,所有价格人民币为单位。
价格梯度
数量单价总价
1¥2.6630¥2.6630
10¥1.9010¥19.0090
100¥0.9580¥95.7730
500¥0.8490¥424.4470
1000¥0.6600¥660.2500
* 价格仅供参考,可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
配置2 N-Channel (Dual)
25°C 时的连续漏极电流 (ID)350mA (Ta)
漏源电压 (VDS)60V
场效应晶体管特性-
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)-
年级Automotive
生命周期状态Active
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体6-VSSOP, SC-88, SOT-363
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
功率 - 最大320mW (Ta)
资格AEC-Q101
RDS(on) 漏极至源极导通电阻2Ohm @ 100mA, 4.5V
系列-
封装类型(制造商)SOT-363
技术MOSFET (Metal Oxide)
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)1V @ 250µA
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)320pF @ 30V
基本产品编号MMFTN620

1. 这些参数没有经过人工审核,可能包含错误,请仔细验证

2. 或者,请联系我们的销售代表获取所需数据

info@Abrmicro.com
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
MSL 级别不要求
REACH 法规等待供应商确认
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.21.0095(其他;不适用进口关税)
RoHS 合规性不受 RoHS 指令约束
相关产品
BC546BBK¥0.9940
双极 (BJT) 晶体管 NPN 65 V 100 mA 300MHz 500 mW 通孔 TO-92
DIT095N08¥7.0020
N 沟道 80 V 95 A (Tc) 170 W (Tc) 通孔 TO-220AB
场效应晶体管阵列 60V 300mA 295mW 表面贴装 SOT-363
MMBTRC102SS¥0.9360
预偏置双极晶体管 (BJT) NPN - 预偏置 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装 SOT-23-3 (TO-236)
MMBTRC106SS¥0.9360
预偏置双极晶体管 (BJT) NPN - 预偏置 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装 SOT-23-3 (TO-236)