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MMBT7002KDW
场效应晶体管阵列 60V 300mA 295mW 表面贴装 SOT-363

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技术规格
配置2 N-Channel
25°C 时的连续漏极电流 (ID)300mA
漏源电压 (VDS)60V
场效应晶体管特性Logic Level Gate
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)0.44nC @ 4.5V
年级-
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)21pF @ 25V
生命周期状态Active
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体6-VSSOP, SC-88, SOT-363
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
功率 - 最大295mW
资格-
RDS(on) 漏极至源极导通电阻3Ohm @ 500mA, 10V
系列-
封装类型(制造商)SOT-363
技术MOSFET (Metal Oxide)
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)1.75V @ 250µA

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美国协调关税表 8541.21.0095(其他;不适用进口关税)
RoHS 合规性不受 RoHS 指令约束
MSL 级别不要求
REACH 法规等待供应商确认
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