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MMBT7002DW
场效应晶体管阵列 60V 115mA (Ta) 200mW (Ta) 表面贴装 SOT-363

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ABR289-MMBT70-2371462
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Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
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技术规格
基本产品编号MMBT7002
配置2 N-Channel (Dual)
25°C 时的连续漏极电流 (ID)115mA (Ta)
漏源电压 (VDS)60V
场效应晶体管特性Logic Level Gate
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)-
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)50pF @ 25V
生命周期状态Active
制造商Diotec Semiconductor
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体6-VSSOP, SC-88, SOT-363
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
功率 - 最大200mW (Ta)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻7.5Ohm @ 500mA, 10V
系列-
封装类型(制造商)SOT-363
技术MOSFET (Metal Oxide)
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)2.5V @ 250µA

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环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别不要求
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.21.0095(其他;不适用进口关税)
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