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DI0A4N45SQ2
场效应晶体管阵列 450V 400mA (Ta) 2W (Ta) 表面贴装 8-SO

1:¥3.4680

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ABR289-DI0A4N-2746693
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Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
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2000¥1.3280¥2655.5130
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技术规格
配置2 N-Channel
25°C 时的连续漏极电流 (ID)400mA (Ta)
漏源电压 (VDS)450V
场效应晶体管特性-
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)7nC @ 10V
年级Automotive
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)160pF @ 25V
生命周期状态Active
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
功率 - 最大2W (Ta)
资格AEC-Q101
系列-
封装类型(制造商)8-SO
技术MOSFET (Metal Oxide)
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)4V @ 250µA
RDS(on) 漏极至源极导通电阻4.5Ohm @ 400mA, 10V

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美国协调关税表 8541.29.0095(其他;不适用进口关税)
RoHS 合规性不受 RoHS 指令约束
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