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2000￥2.0170￥4034.0580
* 价格仅供参考，可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
基本产品编号DI040P04
25°C 时的连续漏极电流 (ID)40A (Tc)
漏源电压 (VDS)40 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))4.5V, 10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型P-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)59 nC @ 10 V
年级Automotive
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)3538 pF @ 20 V
生命周期状态Active
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体8-PowerVDFN
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
最大功率耗散22.7W (Tc)
资格AEC-Q101
RDS(on) 漏极至源极导通电阻15mOhm @ 10A, 10V
系列-
封装类型（制造商）8-QFN (3x3)
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）2.5V @ 250µA
扩展链接
Environmental Information
环境及出口分类
RoHS 合规性不受 RoHS 指令约束
MSL 级别不要求
REACH 法规等待供应商确认
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
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