图片仅供参考,以实物为准。
DI038N04PQ2-AQ
场效应晶体管阵列 45V 38A (Tc) 31W (Tc) 表面贴装 PG-TDSON-8-4

1:¥9.4610

订单超过 2000 元的注册安博睿用户可享受 100 元折扣。
安博睿电子元件编号
ABR289-DI038N-2456342
生命周期状态
Active
预计交货时间
8 周
样品获取免费样品
服务
保证正品
技术支持
快速退款
免费送货(超过960元)
开具发票
24/7 人工服务
库存: 3500
从深圳或香港仓库发货
Min.&Mult.1
包装
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
发货时间24小时内
* 数量
单价¥9.4610
总价¥9.4610
加入购物车
发送目标价格
询价
* 价格不含税,所有价格人民币为单位。
价格梯度
数量单价总价
1¥9.4610¥9.4610
10¥5.9790¥59.7850
100¥3.9910¥399.0520
500¥3.1420¥1570.8160
1000¥2.8660¥2865.9220
2000¥2.6340¥5267.4930
* 价格仅供参考,可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
基本产品编号DI038N04
配置2 N-Channel (Dual)
25°C 时的连续漏极电流 (ID)38A (Tc)
漏源电压 (VDS)45V
场效应晶体管特性-
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)14nC @ 10V
年级Automotive
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)830pF @ 30V
生命周期状态Active
制造商Diotec Semiconductor
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体8-PowerVDFN
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
功率 - 最大31W (Tc)
资格AEC-Q101
RDS(on) 漏极至源极导通电阻12mOhm @ 10A, 10V
系列-
封装类型(制造商)PG-TDSON-8-4
技术MOSFET (Metal Oxide)
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)2.5V @ 250µA

1. 这些参数没有经过人工审核,可能包含错误,请仔细验证

2. 或者,请联系我们的销售代表获取所需数据

info@Abrmicro.com
扩展链接
Datasheets
Environmental Information
环境及出口分类
RoHS 合规性不受 RoHS 指令约束
MSL 级别不要求
REACH 法规等待供应商确认
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095(其他;不适用进口关税)
相关产品
BC546BBK¥0.9940
双极 (BJT) 晶体管 NPN 65 V 100 mA 300MHz 500 mW 通孔 TO-92
DIT095N08¥7.0020
N 沟道 80 V 95 A (Tc) 170 W (Tc) 通孔 TO-220AB
场效应晶体管阵列 60V 300mA 295mW 表面贴装 SOT-363
MMBTRC102SS¥0.9360
预偏置双极晶体管 (BJT) NPN - 预偏置 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装 SOT-23-3 (TO-236)
MMBTRC106SS¥0.9360
预偏置双极晶体管 (BJT) NPN - 预偏置 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装 SOT-23-3 (TO-236)