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技术规格
配置N and P-Channel
漏源电压 (VDS)30V
场效应晶体管特性-
年级-
生命周期状态Active
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体8-PowerVDFN
包装
Bulk
资格-
系列-
技术MOSFET (Metal Oxide)
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）2.5V @ 250µA
封装类型（制造商）8-QFN (3x3)
25°C 时的连续漏极电流 (ID)27A (Tc), 18A (Tc)
功率 - 最大10.8W (Tc)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻9.3mOhm @ 15A, 10V, 30.1mOhm @ 10A, 10V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)1122pF @ 15V, 1150pF @ 20V
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)12nC @ 4.5V, 20nC @ 10V
扩展链接
Datasheets
Environmental Information
环境及出口分类
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
美国 ECCN EAR99
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