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DI006H03SQ
Mosfet 阵列 30V 6A (Ta)、4.2A (Ta) 1.5W (Ta) 表面贴装 8-SO

1:¥9.3230

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安博睿电子元件编号
ABR289-DI006H-2819169
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Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
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500¥5.0280¥2514.0310
1000¥4.0920¥4092.1020
2000¥3.8530¥7705.3410
* 价格仅供参考,可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
配置2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
漏源电压 (VDS)30V
场效应晶体管特性-
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
年级Automotive
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)590pF @ 15V, 631pF @ 15V
生命周期状态Active
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
功率 - 最大1.5W (Ta)
资格AEC-Q101
RDS(on) 漏极至源极导通电阻25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
系列-
封装类型(制造商)8-SO
技术MOSFET (Metal Oxide)
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)2V @ 250µA
25°C 时的连续漏极电流 (ID)6A (Ta), 4.2A (Ta)

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环境及出口分类
RoHS 合规性不受 RoHS 指令约束
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美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095(其他;不适用进口关税)
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