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技术规格
基本产品编号CSIC10
总电容@Vʀ, f500pF @ 1V, 1MHz
平均整流正向电流 (Iᴏ)10A
反向漏电流@额定Vʀ250 µA @ 1200 V
生命周期状态Obsolete
制造商Central Semiconductor Corp
安装方式Through Hole
结温范围-55°C ~ 175°C
封装/箱体TO-220-2
包装
Tube
反向恢复时间 (trr)0 ns
系列-
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
封装类型（制造商）TO-220-2
技术SiC (Silicon Carbide) Schottky
最大直流阻断电压 (Vʀ)1200 V
正向电压 (Vғ) @ Iғ1.7 V @ 10 A
扩展链接
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.10.0080（其他；不适用进口关税）
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