图片仅供参考,以实物为准。
AS6004
沟道 60 V 4 A (Ta) 1.5 W (Ta) 表面贴装 SOT-23-3L

1:¥2.8590

订单超过 2000 元的注册安博睿用户可享受 100 元折扣。
安博睿电子元件编号
ABR278-AS6004-2287735
生命周期状态
Active
预计交货时间
4 周
样品获取免费样品
服务
保证正品
技术支持
快速退款
免费送货(超过960元)
开具发票
24/7 人工服务
库存: 10402
从深圳或香港仓库发货
Min.&Mult.1
包装
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
发货时间24小时内
* 数量
单价¥2.8590
总价¥2.8590
加入购物车
发送目标价格
询价
* 价格不含税,所有价格人民币为单位。
价格梯度
数量单价总价
1¥2.8590¥2.8590
10¥2.0240¥20.2430
100¥1.0230¥102.3030
500¥0.9070¥453.4690
1000¥0.7040¥703.7840
* 价格仅供参考,可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)4A (Ta)
漏源电压 (VDS)60 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))4.5V, 10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型P-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)25 nC @ 10 V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)930 pF @ 30 V
生命周期状态Active
制造商ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
安装方式Surface Mount
工作温度150°C (TJ)
封装/箱体TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
最大功率耗散1.5W (Ta)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻120mOhm @ 4A, 10V
系列-
封装类型(制造商)SOT-23-3L
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)3V @ 250µA

1. 这些参数没有经过人工审核,可能包含错误,请仔细验证

2. 或者,请联系我们的销售代表获取所需数据

info@Abrmicro.com
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 2011/65/EU 指令
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095(其他;不适用进口关税)
相关产品
2N7002EY¥0.8200
沟道 60 V 340mA (Ta) 350mW (Ta) 表面贴装 SOT-23
AS1M040120T¥120.8980
沟道 1200 V 60A (Tc) 330W (Tc) 通孔 TO-247-4
AS2324¥1.6400
沟道 100 V 2A (Ta) 1.2W (Ta) 表面贴装 SOT-23
AS2M040120P¥120.7750
N 沟道 1200 V 60A (Tc) 330W (Tc) 通孔 TO-247-3
AS3400¥1.6400
N沟道 30V 5.6A (Ta) 1.2W (Ta) 表面贴装 SOT-23