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技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)60A (Tc)
漏源电压 (VDS)1200 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))20V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)142 nC @ 20 V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)2946 pF @ 1000 V
生命周期状态Active
制造商ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
安装方式Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体TO-247-4
包装
Tube
最大功率耗散330W (Tc)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻55mOhm @ 40A, 20V
系列-
封装类型（制造商）TO-247-4
技术SiCFET (Silicon Carbide)
栅极-源极电压 (Vɢs)+25V, -10V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）4V @ 10mA
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.21.0095（其他；不适用进口关税）
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