* 分立半导体器件通过制造商Sanken Electric Usa Inc进行分类
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DIODE FOR ALTERNATOR (PRESS FIT)
69
¥13.2050
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DIODE GEN PURP 4KV 350MA AXIAL
20
¥24.2260
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IGBT 沟槽场截止 650 V 65 A 72 W 通孔 TO-3PF
15
N/A
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Diode 17 V 30A Surface Mount
45
¥7.9080
-
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Diode 17 V 30A Surface Mount
86
¥7.9080
-
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N 沟道 60 V 60 A (Ta) 60 W (Tc) 表面贴装 TO-220S
48
N/A
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SCHOTTKY BARRIER DIODE (SURFACE
109
N/A
-
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DIODE FOR ALTERNATOR (PRESS FIT)
147
N/A
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二极管阵列 1 对共阴极 300 V 60A 通孔 TO-3P-3、SC-65-3
130
N/A
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IGBT 沟槽场截止 650 V 80 A 405 W 通孔 TO-3P-3L
143
N/A
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双极 (BJT) 晶体管 NPN 150 V 8 A 2 W 通孔 TO-220F
118
¥8.0030
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IGBT 沟槽场截止 650 V 65 A 288 W 通孔 TO-3P-3L
78
N/A
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IGBT 沟槽场截止 650 V 80 A 405 W 通孔 TO-247-3
127
N/A
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场效应晶体管阵列 60V 6A (Ta) 4W (Ta), 29W (Tc) 通孔 12-SIP
89
¥24.9950
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二极管阵列 1 对共阴极 600 V 60A 通孔 TO-247-3
60
N/A
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DIODE FOR ALTERNATOR (PRESS FIT)
51
N/A
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DIODE GEN PURP 7.5KV 350MA AXIAL
83
¥16.2380
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二极管阵列 1 对共阴极 200 V 20A 通孔 TO-3P-3、SC-65-3
115
N/A
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DIODE FOR ALTERNATOR (PRESS FIT)
137
¥13.2050
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二极管阵列 1 对共阴极 100 V 10A 表面贴装 TO-252-3,DPAK(2 根引线 + 接片),SC-63
98
N/A
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DIODE FOR ALTERNATOR (PRESS FIT)
97
N/A
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双极 (BJT) 晶体管 NPN 115 V 6 A 1.2 W 表面贴装 TO-220S
20
N/A
-
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ULTRAFAST RECOVERY DIODE (FRAME)
135
N/A
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场效应晶体管阵列 450V 7A (Ta) 4W (Ta), 35W (Tc) 通孔 12-SIP
60
¥53.1610
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Diode 20000 V 30A Surface Mount
36
¥7.0600
-
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DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL
3
N/A
-
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ULTRAFAST RECOVERY DIODE (FRAME)
120
N/A
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ULTRAFAST RECOVERY DIODE (FRAME)
118
N/A
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Diode 20000 V 30A Surface Mount
100
¥7.0600
-
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ULTRAFAST RECOVERY DIODE (FRAME)
146
N/A
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