* 分立半导体器件通过制造商Freescale Semiconductor进行分类
零件编号描述库存单价产品规格书操作
射频场效应晶体管 28 V 1.1 A 2.4GHz 18.8dB 45W NI-780S-6
343
N/A
询价
射频场效应晶体管 28 V 280 mA 2.3GHz 14.6dB 16W NI-780S-4L
105
N/A
询价
射频场效应晶体管 28 V 280 mA 2.3GHz 14.6dB 16W NI-780S-4L
305
N/A
询价
射频场效应晶体管 30 V 800 mA 1.88GHz 16dB 72W NI1230S-8
21
N/A
询价
射频场效应晶体管 28 V 360 mA 2.17GHz 14dB 28W NI-780-4
22
N/A
询价
射频MOSFET 28V 550mA 1.88GHz ~ 2.025GHz 14.8dB 37W NI-780S-4
27
N/A
询价
射频MOSFET 28V 900mA 2.66GHz 15.5dB 20W NI-780H-2L
27
N/A
询价
射频场效应晶体管 12 V 140 mA 3.55GHz 10dB 1W NI-360HF
9
N/A
询价
射频场效应晶体管 28 V 900 mA 2.66GHz 15.5dB 20W NI-780S
3
N/A
询价
射频场效应晶体管 28 V 150 mA 2.17GHz 14.4dB 16W NI-780-4
24
N/A
询价
射频场效应晶体管 28 V 1.3 A 2.39GHz 15.2dB 28W NI-880S
32
N/A
询价
射频场效应晶体管 28 V 950 mA 1.99GHz 14.5dB 22W TO-272 WB-4
129
N/A
询价
射频场效应晶体管 28 V 610 mA 1.93GHz 16dB 12W TO-272 WB-4
1731
N/A
询价
射频场效应晶体管 28 V 1.9 A 2.39GHz 14dB 40W NI-1230
26
N/A
询价
射频场效应晶体管 470MHz ~ 860MHz 14.7dB 60W NI-360
42
N/A
询价
射频MOSFET 28V 750mA 1.99GHz 18dB 24W NI-780H-2L
459
N/A
询价
射频场效应晶体管 28 V 1 A 1.93GHz ~ 1.99GHz 13.9dB 22W NI-780S
35
N/A
询价
射频MOSFET 28V 1A 1GHz 21dB 39W NI-880H-2L
54
N/A
询价
射频场效应晶体管 28 V 610 mA 1.93GHz ~ 1.9GHz 16dB 12W TO-270 WB-4
520
N/A
询价
射频场效应晶体管 28 V 300 mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 15dB 14W NI-780S-4
268
N/A
询价
射频MOSFET 28V 350mA 1GHz 22.7dB 10W NI-880H-2L
1385
N/A
询价
射频场效应晶体管 TO270
350
N/A
-
询价
射频场效应晶体管 26 V 250 mA 1GHz 20dB 30W TO-272-2
27
N/A
询价
射频场效应晶体管 28 V 1.6 A 2.11GHz ~ 2.17GHz 16dB 54W NI-880
52
N/A
询价
射频MOSFET 26V 1.1A 865MHz ~ 895MHz 17.8dB 135W NI-780H-2L
175
N/A
询价
射频场效应晶体管 26 V 250 mA 1.8GHz ~ 2GHz 14dB 30W NI-400S
147
N/A
询价
RF MOSFET LDMOS TO270-2
163
N/A
-
询价
射频场效应晶体管 28 V 1.6 A 2.11GHz ~ 2.17GHz 13dB 125W NI-880H-2L
566
N/A
询价
RF Transistor
21
N/A
-
询价
射频场效应晶体管 30 V 450 mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 14dB 8W NI-400S-2S
196
N/A
询价