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9000￥3.8530￥34674.0350
* 价格仅供参考，可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
漏源电压 (VDS)80 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)126 nC @ 10 V
年级-
生命周期状态Active
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体8-PowerLDFN
包装
Tape & Reel (TR)
资格-
RDS(on) 漏极至源极导通电阻3.5mOhm @ 20A, 10V
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）5V @ 250µA
最大功率耗散5W (Ta), 104W (Tc)
25°C 时的连续漏极电流 (ID)28.2A (Ta), 100A (Tc)
封装类型（制造商）8-PMPAK (5x6)
系列XP8N3R5C
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)7760 pF @ 40 V
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
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