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6000￥1.7270￥10360.8540
9000￥1.5960￥14365.8900
30000￥1.5820￥47450.9700
* 价格仅供参考，可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
漏源电压 (VDS)30 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))4.5V, 10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
年级-
生命周期状态Active
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体8-PowerLDFN
包装
Tape & Reel (TR)
资格-
RDS(on) 漏极至源极导通电阻5mOhm @ 19A, 10V
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）2.3V @ 250µA
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)35.2 nC @ 4.5 V
封装类型（制造商）8-PMPAK (5x6)
25°C 时的连续漏极电流 (ID)24.7A (Ta), 61A (Tc)
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)3040 pF @ 15 V
最大功率耗散5W (Ta), 31.2W (Tc)
系列XP3N5R0
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
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