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XP3N5R0H
N 沟道 30 V 62A (Tc) 2W (Ta), 31.25W (Tc) 表面贴装 TO-252

1:¥5.8480

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ABR278-XP3N5R-2854779
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Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
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1000¥1.6620¥1661.5090
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技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)62A (Tc)
漏源电压 (VDS)30 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))4.5V, 10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)36 nC @ 4.5 V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)3200 pF @ 15 V
生命周期状态Active
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
封装类型(制造商)TO-252
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)3V @ 250µA
系列XP3N5R0
最大功率耗散2W (Ta), 31.25W (Tc)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻5mOhm @ 4A, 10V

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环境及出口分类
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095(其他;不适用进口关税)
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
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