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Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
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技术规格
漏源电压 (VDS)30 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))4.5V, 10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)120 nC @ 4.5 V
生命周期状态Active
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体8-PowerLDFN
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）2.2V @ 250µA
最大功率耗散5W (Ta), 104W (Tc)
基本产品编号XP3N
封装类型（制造商）PMPAK® 5 x 6
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)12320 pF @ 15 V
25°C 时的连续漏极电流 (ID)54.2A (Ta), 245A (Tc)
系列XP3N1R0
RDS(on) 漏极至源极导通电阻1.05mOhm @ 20A, 10V
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Datasheets
环境及出口分类
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
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