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SI4436DY-T1-E3
N 沟道 60 V 8A (Tc) 2.5W (Ta)、5W (Tc) 表面贴装 8-SOIC

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安博睿电子元件编号
ABR278-SI4436-4473
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Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
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* 价格仅供参考,可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
基本产品编号SI4436
25°C 时的连续漏极电流 (ID)8A (Tc)
漏源电压 (VDS)60 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))4.5V, 10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)32 nC @ 10 V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)1100 pF @ 30 V
生命周期状态End of Life (EOL)
制造商Vishay Siliconix
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
最大功率耗散2.5W (Ta), 5W (Tc)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻36mOhm @ 4.6A, 10V
系列TrenchFET®
封装类型(制造商)8-SOIC
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压(最大值)2.5V @ 250µA

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环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规可根据要求提供 REACH 信息
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095(其他;不适用进口关税)
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