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Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
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技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)6.5A (Tc)
漏源电压 (VDS)650 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))6V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)8.8 nC @ 10 V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)730 pF @ 400 V
生命周期状态Active
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体8-VDFN Exposed Pad
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
最大功率耗散21W (Tc)
系列SuperGaN®
技术GaNFET (Gallium Nitride)
栅极-源极电压 (Vɢs)±12V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）2.8V @ 500µA
封装类型（制造商）8-PQFN (8x8)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻312mOhm @ 6.5A, 6V
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
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