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25￥101.0840￥2527.0910
200￥85.7090￥17141.8440
400￥85.0490￥34019.5880
* 价格仅供参考，可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
配置Half Bridge
集电极电流 (Iᴄ)@25°C83 A
IGBT类型-
输入Standard
生命周期状态Active
安装方式Surface Mount
NTC热敏电阻No
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
包装
Bulk
功率 - 最大250 W
集电极-发射极击穿电压（最大值）650 V
集电极至发射极导通电压 (Vᴄᴇ(on))@(Vɢᴇ)(Iᴄ)2.1V @ 15V, 80A
系列HB
输入电容 (Ciᴇs) @ (Veᴇ)10450 pF @ 25 V
封装/箱体9-PowerSMD
封装类型（制造商）9-ACEPACK SMIT
扩展链接
Datasheets
PCN Design/Specification
环境及出口分类
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
REACH 法规根据要求提供 REACH 详细信息
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
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