图片仅供参考,以实物为准。
STGE50NC60VD
IGBT 模块单 600 V 90 A 260 W 底盘安装 ISOTOP

N/A

订单超过 2000 元的注册安博睿用户可享受 100 元折扣。
安博睿电子元件编号
ABR297-STGE50-1257936
生命周期状态
Obsolete
预计交货时间
-
样品获取免费样品
服务
保证正品
技术支持
快速退款
免费送货(超过960元)
开具发票
24/7 人工服务
库存: 5
从深圳或香港仓库发货
Min.&Mult.1
包装
Tube
发货时间24小时内
* 数量
询价
添加到询价清单
技术规格
基本产品编号STGE50
配置Single
集电极电流 (Iᴄ)@25°C90 A
集电极截止电流 (Iᴄᴇs)(最大值)150 µA
IGBT类型-
输入Standard
输入电容 (Ciᴇs) @ (Veᴇ)4.55 nF @ 25 V
生命周期状态Obsolete
制造商STMicroelectronics
安装方式Chassis Mount
NTC热敏电阻No
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体SOT-227-4, miniBLOC
包装
Tube
功率 - 最大260 W
系列PowerMESH™
封装类型(制造商)ISOTOP
集电极至发射极导通电压 (Vᴄᴇ(on))@(Vɢᴇ)(Iᴄ)2.5V @ 15V, 40A
集电极-发射极击穿电压(最大值)600 V

1. 这些参数没有经过人工审核,可能包含错误,请仔细验证

2. 或者,请联系我们的销售代表获取所需数据

info@Abrmicro.com
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095(其他;不适用进口关税)
相关产品
双极 (BJT) 晶体管阵列 7 NPN 达林顿 50V 500mA 通孔 16-DIP
STU2NK100Z¥13.2560
沟道 1000 V 1.85A (Tc) 70W (Tc) 通孔 IPAK
沟道 200 V 34 A (Tc) 180 W (Tc) 通孔 TO-247-3
STW69N65M5¥48.1040
N 沟道 650 V 58A (Tc) 330W (Tc) 通孔 TO-247-3
STW9NK95Z¥17.7980
沟道 950 V 7A (Tc) 160W (Tc) 通孔 TO-247-3