图片仅供参考,以实物为准。
LH5116NA-10
SRAM 存储器 IC 16Kbit 并行 100 ns 24-SOP

N/A

订单超过 2000 元的注册安博睿用户可享受 100 元折扣。
安博睿电子元件编号
ABR774-LH5116-954249
生命周期状态
Obsolete
预计交货时间
-
样品获取免费样品
服务
保证正品
技术支持
快速退款
免费送货(超过960元)
开具发票
24/7 人工服务
库存: 5
从深圳或香港仓库发货
Min.&Mult.1
包装
Tube
发货时间24小时内
* 数量
询价
添加到询价清单
技术规格
访问时间100 ns
基本产品编号LH5116
生命周期状态Obsolete
内存格式SRAM
内存接口Parallel
记忆组织2K x 8
内存大小16Kbit
内存类型Volatile
制造商Sharp Microelectronics
安装方式Surface Mount
工作温度0°C ~ 70°C (TA)
封装/箱体24-SOIC (0.339", 8.60mm Width)
包装
Tube
参数编程Supported
系列-
封装类型(制造商)24-SOP
技术SRAM
电源电压4.5V ~ 5.5V
写入周期 (Twc)100ns

1. 这些参数没有经过人工审核,可能包含错误,请仔细验证

2. 或者,请联系我们的销售代表获取所需数据

info@Abrmicro.com
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性不符合 RoHS 规定,无法进入欧盟市场
MSL 级别 (72 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8542.32.0041(静态读写随机存取存储器(SRAM);不征收进口税)
相关产品
闪存 IC 256Mbit 并行 85 ns 56-TSOP
闪存 IC 16Mbit 并行 70 ns 56-TSOP
闪存 IC 32Mbit 并行 70 ns 56-TSOP
SRAM 存储器 IC 256Kbit 并行 70 ns 28-DIP
闪存存储器 IC 16Mbit 并行 70 ns 48-TSOP