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技术规格
配置4 N-Channel
25°C 时的连续漏极电流 (ID)6A (Ta)
漏源电压 (VDS)120V
场效应晶体管特性-
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)-
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)400pF @ 10V
生命周期状态Active
安装方式Through Hole
工作温度150°C
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系列-
技术MOSFET (Metal Oxide)
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）2V @ 250µA
功率 - 最大4W (Ta), 20W (Tc)
封装类型（制造商）10-SIP
封装/箱体10-SIP
基本产品编号STA508
RDS(on) 漏极至源极导通电阻200mOhm @ 4A, 10V
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 2011/65/EU 指令
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
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