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技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)70A (Ta)
漏源电压 (VDS)40 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)5100 pF @ 10 V
生命周期状态Active
安装方式Through Hole
工作温度150°C
封装/箱体TO-220-3 Full Pack
包装
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最大功率耗散35W (Tc)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻10.5mOhm @ 10A, 10V
系列-
封装类型（制造商）TO-220
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）4V @ 1mA
基本产品编号FLD47
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
RoHS 合规性符合 2011/65/EU 指令
美国 ECCN EAR99
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