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K6X1008C2D-TF55
SRAM - 异步存储器 IC 1Mbit 并行 32-TSOP 反向

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安博睿电子元件编号
ABR774-K6X100-2933414
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技术规格
生命周期状态Obsolete
内存格式SRAM
内存接口Parallel
记忆组织128K x 8
内存大小1Mbit
内存类型Volatile
安装方式Surface Mount
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
包装
Tray
参数编程Supported
系列-
技术SRAM - Asynchronous
电源电压4.5V ~ 5.5V
写入周期 (Twc)55ns
封装类型(制造商)32-TSOP REVERSE

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环境及出口分类
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8542.32.0041(静态读写随机存取存储器(SRAM);不征收进口税)
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