图片仅供参考,以实物为准。
DTA013ZMT2L
预偏置双极晶体管 (BJT) PNP - 预偏置 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装 VMT3

1:¥1.5820

订单超过 2000 元的注册安博睿用户可享受 100 元折扣。
安博睿电子元件编号
ABR292-DTA013-33711
生命周期状态
Active
预计交货时间
18 周
样品获取免费样品
产品规格书
服务
保证正品
技术支持
快速退款
免费送货(超过960元)
开具发票
24/7 人工服务
库存: 4463
从深圳或香港仓库发货
Min.&Mult.1
包装
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Abrmicro® Custom Packaging
发货时间24小时内
* 数量
单价¥1.5820
总价¥1.5820
加入购物车
发送目标价格
询价
* 价格不含税,所有价格人民币为单位。
价格梯度
数量单价总价
1¥1.5820¥1.5820
10¥1.0590¥10.5930
100¥0.5220¥52.2400
500¥0.4280¥214.0370
1000¥0.2970¥297.4760
2000¥0.2610¥522.3960
* 价格仅供参考,可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
基本产品编号DTA013
集电极电流 (Iᴄ)@25°C100 mA
集电极截止电流 (Iᴄᴇs)(最大值)500nA
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 10V
频率 - 过渡250 MHz
生命周期状态Active
制造商Rohm Semiconductor
安装方式Surface Mount
封装/箱体SOT-723
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
功率 - 最大150 mW
电阻器-基极(R1)1 kOhms
电阻器 - 发射极基极(R2)10 kOhms
系列-
封装类型(制造商)VMT3
晶体管类型PNP - Pre-Biased
Vce 饱和度(最大值)@ Ib, Ic150mV @ 500µA, 5mA
集电极-发射极击穿电压(最大值)50 V

1. 这些参数没有经过人工审核,可能包含错误,请仔细验证

2. 或者,请联系我们的销售代表获取所需数据

info@Abrmicro.com
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.21.0075(工作频率不低于100MHz;免征进口税)
相关产品
预偏置双极晶体管 (BJT) PNP - 预偏置 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装 VMT3
R6009END3TL1¥14.0680
N 沟道 600 V 9A (Tc) 94W (Tc) 表面贴装 TO-252
R6011KND3TL1¥17.1010
N 沟道 600 V 11A (Tc) 124W (Tc) 表面贴装 TO-252
R6020KNZ4C13¥31.2280
N 沟道 600 V 20 A (Tc) 231 W (Tc) 通孔 TO-247
R6030ENZ4C13¥37.9390
N 沟道 600 V 30 A (Tc) 305 W (Tc) 通孔 TO-247