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R2J20657NP#G3
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

N/A

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安博睿电子元件编号
ABR730-R2J206-1733945
生命周期状态
Obsolete
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技术规格
基本产品编号R2J20657
通道类型Independent
电流 - 峰值输出(源、吸收)-
驱动配置High-Side or Low-Side
闸门类型N-Channel MOSFET
高压侧电压 - 最大值(自举)25 V
输入类型TTL
生命周期状态Obsolete
逻辑电压 - VIL、VIH0.8V, 2.6V
制造商Renesas Electronics Corporation
安装方式Surface Mount
司机人数1
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体40-WFQFN Exposed Pad
包装
Bulk
参数编程Supported
输出信号上升时间和下降时间-
系列-
封装类型(制造商)40-QFN (6x6)
电源电压4.5V ~ 16V

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扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8542.39.0001(在协调关税表中未找到费率)
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