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技术规格
基本产品编号QJD1210
配置2 N-Channel (Dual)
25°C 时的连续漏极电流 (ID)100A (Tc)
漏源电压 (VDS)1200V (1.2kV)
场效应晶体管特性-
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)500nC @ 20V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)10200pF @ 800V
生命周期状态Obsolescence Review In Progress
制造商Powerex Inc.
安装方式Chassis Mount
工作温度-40°C ~ 175°C (TJ)
封装/箱体Module
包装
Bulk
功率 - 最大900W
RDS(on) 漏极至源极导通电阻25mOhm @ 100A, 20V
系列-
封装类型（制造商）Module
技术Silicon Carbide (SiC)
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）5V @ 10mA
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
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