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技术规格
基本产品编号PSMB055N08
25°C 时的连续漏极电流 (ID)108A (Tc)
漏源电压 (VDS)80 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))7V, 10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)48 nC @ 7 V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)4773 pF @ 40 V
生命周期状态Active
制造商Panjit International Inc.
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
最大功率耗散113.6W (Tc)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻5.5mOhm @ 50A, 10V
系列-
封装类型（制造商）TO-263
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±20V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）3.75V @ 250µA
扩展链接
Datasheets
PCN Design/Specification
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
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