图片仅供参考,以实物为准。
DMG264120R
预偏置双极晶体管 (BJT) 1 NPN、1 PNP - 预偏置(双)50V 500mA 300mW 表面贴装 Mini6-G4-B

1:¥1.3420

订单超过 2000 元的注册安博睿用户可享受 100 元折扣。
安博睿电子元件编号
ABR293-DMG264-1113614
生命周期状态
Obsolescence Review In Progress
预计交货时间
-
样品获取免费样品
服务
保证正品
技术支持
快速退款
免费送货(超过960元)
开具发票
24/7 人工服务
库存: 17
从深圳或香港仓库发货
Min.&Mult.1
包装
Tape & Reel (TR)
发货时间24小时内
* 数量
单价¥1.3420
总价¥1.3420
加入购物车
发送目标价格
询价
* 价格不含税,所有价格人民币为单位。
价格梯度
数量单价总价
3000¥1.3420¥4026.8020
6000¥1.2700¥7618.2750
9000¥1.1750¥10578.5190
30000¥1.1610¥34826.4000
* 价格仅供参考,可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
基本产品编号DMG26412
集电极电流 (Iᴄ)@25°C500mA
集电极截止电流 (Iᴄᴇs)(最大值)1µA
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce50 @ 100mA, 10V
频率 - 过渡-
生命周期状态Obsolescence Review In Progress
制造商Panasonic Electronic Components
安装方式Surface Mount
封装/箱体SOT-23-6
包装
Tape & Reel (TR)
功率 - 最大300mW
电阻器-基极(R1)4.7kOhms
电阻器 - 发射极基极(R2)4.7kOhms
系列-
封装类型(制造商)Mini6-G4-B
晶体管类型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce 饱和度(最大值)@ Ib, Ic250mV @ 5mA, 100mA
集电极-发射极击穿电压(最大值)50V

1. 这些参数没有经过人工审核,可能包含错误,请仔细验证

2. 或者,请联系我们的销售代表获取所需数据

info@Abrmicro.com
扩展链接
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 2011/65/EU 指令
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.21.0095(其他;不适用进口关税)
相关产品
双极 (BJT) 晶体管 NPN 150 V 50 mA 150MHz 150 mW 表面贴装 SMini3-G1
DMG563020R¥0.6970
预偏置双极晶体管 (BJT) 1 NPN、1 PNP - 预偏置(双)50V 100mA 150mW 表面贴装 SMini5-F3-B
DMG564H20R¥0.6970
预偏置双极晶体管 (BJT) 1 NPN、1 PNP - 预偏置(双)50V 100mA 150mW 表面贴装 SMini6-F3-B
DRA9123E0L¥2.3940
预偏置双极晶体管 (BJT) PNP - 预偏置 50 V 100 mA 125 mW 表面贴装 SSMini3-F3-B
DSC5A01S0L¥0.3850
双极 (BJT) 晶体管 NPN 40 V 50 mA 150MHz 150 mW 表面贴装 SMini3-F2-B