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NHUMB11X
预偏置双极晶体管 (BJT) 2 PNP - 预偏置(双)80V 100mA 150MHz 350mW 表面贴装 6-TSSOP

1:¥1.6760

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ABR293-NHUMB1-2845547
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技术规格
集电极电流 (Iᴄ)@25°C100mA
集电极截止电流 (Iᴄᴇs)(最大值)100nA
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 5V
频率 - 过渡150MHz
年级Automotive
生命周期状态Active
安装方式Surface Mount
封装/箱体6-TSSOP, SC-88, SOT-363
包装
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Abrmicro® Custom Packaging
功率 - 最大350mW
资格AEC-Q101
电阻器-基极(R1)10kOhms
电阻器 - 发射极基极(R2)10kOhms
系列-
封装类型(制造商)6-TSSOP
晶体管类型2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce 饱和度(最大值)@ Ib, Ic100mV @ 500µA, 10mA
集电极-发射极击穿电压(最大值)80V
基本产品编号NHUMB11

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环境及出口分类
美国协调关税表 8541.21.0075(工作频率不低于100MHz;免征进口税)
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
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