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LM5110-1M/NOPB
LM5110 DUAL 5A COMPOUND GATE DRI

N/A

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安博睿电子元件编号
ABR730-LM5110-2396663
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技术规格
基本产品编号LM5110
通道类型Independent
电流 - 峰值输出(源、吸收)3A, 5A
驱动配置Low-Side
闸门类型N-Channel MOSFET
输入类型Non-Inverting
生命周期状态Active
逻辑电压 - VIL、VIH0.8V, 2.2V
制造商National Semiconductor
安装方式Surface Mount
司机人数2
工作温度-40°C ~ 125°C (TJ)
封装/箱体8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
包装
Bulk
参数编程Supported
输出信号上升时间和下降时间14ns, 12ns
系列-
封装类型(制造商)8-SOIC
电源电压3.5V ~ 14V

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环境及出口分类
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8542.39.0001(在协调关税表中未找到费率)
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