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技术规格
通道类型Independent
电流 - 峰值输出（源、吸收）1A, 1A
驱动配置Half-Bridge
闸门类型N-Channel MOSFET
高压侧电压 - 最大值（自举）118 V
输入类型Non-Inverting
生命周期状态Active
逻辑电压 - VIL、VIH0.8V, 2.2 V
制造商National Semiconductor
安装方式Surface Mount
司机人数2
工作温度-40°C ~ 125°C (TJ)
封装/箱体8-WDFN Exposed Pad
包装
Bulk
参数编程Supported
输出信号上升时间和下降时间15ns, 15ns
系列-
封装类型（制造商）8-WSON (4x4)
电源电压8V ~ 14V
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8542.39.0001（在协调关税表中未找到费率）
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