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NAND01GW3B2CZA6E
闪存 - NAND 存储器 IC 1Gbit 并行 25 ns 63-VFBGA(9.5x12)

N/A

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安博睿电子元件编号
ABR774-NAND01-902761
制造商
生命周期状态
Obsolete
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-
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包装
Tray
发货时间24小时内
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技术规格
访问时间25 ns
基本产品编号NAND01
生命周期状态Obsolete
内存格式FLASH
内存接口Parallel
记忆组织128M x 8
内存大小1Gbit
内存类型Non-Volatile
制造商Micron Technology Inc.
安装方式Surface Mount
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
封装/箱体63-TFBGA
包装
Tray
参数编程Supported
系列-
封装类型(制造商)63-VFBGA (9.5x12)
技术FLASH - NAND
电源电压2.7V ~ 3.6V
写入周期 (Twc)25ns

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环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN 3A991B1A 型
美国协调关税表 8542.32.0071(其他;不适用进口关税)
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