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MT49H32M18BM-25:B
DRAM 存储器 IC 576Mbit 并行 400 MHz 20 ns 144-µBGA (18.5x11)

N/A

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安博睿电子元件编号
ABR774-MT49H3-904591
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技术规格
访问时间20 ns
基本产品编号MT49H32M18
时钟频率400 MHz
生命周期状态Obsolete
内存格式DRAM
内存接口Parallel
记忆组织32M x 18
内存大小576Mbit
内存类型Volatile
制造商Micron Technology Inc.
安装方式Surface Mount
工作温度0°C ~ 95°C (TC)
封装/箱体144-TFBGA
包装
Bulk
参数编程Supported
系列-
封装类型(制造商)144-µBGA (18.5x11)
技术DRAM
电源电压1.7V ~ 1.9V
写入周期 (Twc)-

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环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8542.32.0024(超过 128 兆比特但不超过 256 兆比特;不征收进口税)
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