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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
闪存 - NAND,DRAM - LPDDR2 存储器 IC 4Gbit (NAND)、2Gbit (LPDDR2) 并行 533 MHz 162-VFBGA (11.5x13)

N/A

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安博睿电子元件编号
ABR774-MT29RZ-904666
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Obsolete
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包装
Tray
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技术规格
基本产品编号MT29RZ4B2
时钟频率533 MHz
生命周期状态Obsolete
内存格式FLASH, RAM
内存接口Parallel
记忆组织512M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2)
内存大小4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDDR2)
内存类型Non-Volatile, Volatile
制造商Micron Technology Inc.
安装方式Surface Mount
工作温度-25°C ~ 85°C (TA)
封装/箱体162-VFBGA
包装
Tray
参数编程Supported
系列-
封装类型(制造商)162-VFBGA (11.5x13)
技术FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
电源电压1.8V
写入周期 (Twc)-

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环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN 3A991B1A 型
美国协调关税表 8542.32.0071(其他;不适用进口关税)
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