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TC58BVG2S0HBAI6
闪存 - NAND(SLC)存储器 IC 4Gbit 并行 20 ns 67-VFBGA(6.5x8)

1:¥37.9750

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安博睿电子元件编号
ABR774-TC58BV-2851950
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2704¥19.0750¥51578.0140
* 价格仅供参考,可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
访问时间20 ns
生命周期状态Active
内存格式FLASH
内存接口Parallel
记忆组织512M x 8
内存大小4Gbit
内存类型Non-Volatile
安装方式Surface Mount
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
包装
Tray
系列-
技术FLASH - NAND (SLC)
电源电压2.7V ~ 3.6V
写入周期 (Twc)25ns
基本产品编号TC58BVG2
封装/箱体67-VFBGA
封装类型(制造商)67-VFBGA (6.5x8)

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Datasheets
环境及出口分类
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
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