N/A
订单超过 2000 元的注册安博睿用户可享受 100 元折扣。
安博睿电子元件编号
制造商
生命周期状态
预计交货时间
样品获取免费样品
服务
保证正品技术支持快速退款免费送货（超过960元）开具发票24/7 人工服务 库存: 2470
从深圳或香港仓库发货
Min.&Mult.1
包装
Bulk
发货时间24小时内
* 数量
询价
添加到询价清单
技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)3.1A (Ta)
漏源电压 (VDS)55 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))4V, 10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)15.6 nC @ 5 V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)510 pF @ 25 V
生命周期状态Active
制造商International Rectifier
安装方式Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体TO-261-4, TO-261AA
包装
Bulk
最大功率耗散1W (Ta)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻65mOhm @ 3.1A, 10V
系列HEXFET®
封装类型（制造商）SOT-223
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±16V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）2V @ 250µA
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性不受 RoHS 指令约束
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 0000.00.0000（在协调关税表中未找到费率）
相关产品
