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技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)55A (Tc)
漏源电压 (VDS)60 V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)67 nC @ 10 V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)1812 pF @ 25 V
生命周期状态Obsolete
制造商International Rectifier
安装方式Through Hole
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
封装/箱体TO-220-3
包装
Tube
最大功率耗散115W (Tc)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻16.5mOhm @ 31A, 10V
系列HEXFET®
封装类型（制造商）TO-220AB
技术MOSFET (Metal Oxide)
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）4V @ 250µA
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
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