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技术规格
访问时间3.5 ns
时钟频率1.6 GHz
生命周期状态Active
内存格式DRAM
内存接口LVSTL
记忆组织256M x 16
内存大小4Gbit
内存类型Volatile
制造商Insignis Technology Corporation
安装方式Surface Mount
工作温度0°C ~ 85°C (TC)
封装/箱体200-WFBGA
包装
Tray
系列-
封装类型（制造商）200-FBGA (10x14.5)
技术SDRAM - Mobile LPDDR4
电源电压1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
写入周期 (Twc)18ns
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8542.32.0036（超过 1 千兆位；不征收进口税）
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