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S29GL512T11FHB023
闪存 - NOR 存储器 IC 512Mbit 并行 110 ns 64-FBGA(13x11)

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安博睿电子元件编号
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技术规格
访问时间110 ns
基本产品编号S29GL512
生命周期状态Active
内存格式FLASH
内存接口Parallel
记忆组织64M x 8
内存大小512Mbit
内存类型Non-Volatile
制造商Infineon Technologies
安装方式Surface Mount
工作温度-40°C ~ 105°C (TA)
封装/箱体64-LBGA
包装
Tape & Reel (TR)
参数编程Supported
系列GL-T
封装类型(制造商)64-FBGA (13x11)
技术FLASH - NOR
电源电压2.7V ~ 3.6V
写入周期 (Twc)60ns

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环境信息
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN 3A991B1A 型
美国协调关税表 8542.32.0071(其他;不适用进口关税)
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