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技术规格
基本产品编号GS82564Z18
时钟频率250 MHz
生命周期状态Active
内存格式SRAM
内存接口Parallel
记忆组织16M x 18
内存大小288Mbit
内存类型Volatile
制造商GSI Technology Inc.
安装方式Surface Mount
工作温度-40°C ~ 100°C (TJ)
封装/箱体119-BGA
包装
Tray
参数编程Supported
系列-
封装类型（制造商）119-FPBGA (22x14)
技术SRAM - Synchronous, ZBT
电源电压2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
写入周期 (Twc)-
扩展链接
Environmental Information
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN3A991B2B 型
美国协调关税表 8542.32.0041（静态读写随机存取存储器（SRAM）；不征收进口税）
