1:￥16.4050
订单超过 2000 元的注册安博睿用户可享受 100 元折扣。
安博睿电子元件编号
制造商
生命周期状态
预计交货时间
样品获取免费样品
服务
保证正品技术支持快速退款免费送货（超过960元）开具发票24/7 人工服务 库存: 397
从深圳或香港仓库发货
Min.&Mult.1
包装
Tube
发货时间24小时内
* 数量
单价￥16.4050
总价￥16.4050
加入购物车
发送目标价格
询价
* 价格不含税，所有价格人民币为单位。
价格梯度
数量单价总价
1￥16.4050￥16.4050
10￥14.7360￥147.3590
25￥13.9310￥348.2640
100￥12.0730￥1207.3150
250￥11.4490￥2862.2950
500￥10.2810￥5140.5220
1000￥8.6630￥8663.0670
2500￥8.2350￥20587.4810
5000￥7.9230￥39615.0300
* 价格仅供参考，可能会发生变化。最终销售价格将在购买时确认。
技术规格
25°C 时的连续漏极电流 (ID)38A (Tc)
漏源电压 (VDS)650 V
漏极至源极导通电阻 (Max. Min.Rᴅs(on))10V
场效应晶体管特性-
场效应晶体管类型N-Channel
栅极电荷总量 (Qg) (最大值)55 nC @ 10 V
共源输入电容 (Cɪss)(最大值)@(Vᴅs)3200 pF @ 50 V
生命周期状态Active
制造商Good-Ark Semiconductor
安装方式Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
封装/箱体TO-220-3
包装
Tube
最大功率耗散322W (Tc)
RDS(on) 漏极至源极导通电阻99mOhm @ 19A, 10V
系列-
封装类型（制造商）TO-220-3
技术MOSFET (Metal Oxide)
栅极-源极电压 (Vɢs)±30V
VGS(th) 栅极 - 源极阈值电压（最大值）4V @ 250µA
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性符合 RoHS 3 指令 (2015/863/EU)
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规不含 SVHC
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.21.0095（其他；不适用进口关税）
相关产品
