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技术规格
集电极电流 (Iᴄ)@25°C7 A
集电极截止电流 (Iᴄᴇs)（最大值）-
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce-
频率 - 过渡-
生命周期状态Active
制造商General Semiconductor
安装方式Stud Mount
工作温度-65°C ~ 200°C (TJ)
封装/箱体TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
包装
Bulk
功率 - 最大175 W
系列-
封装类型（制造商）TO-61
晶体管类型NPN
Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic-
集电极-发射极击穿电压（最大值）300 V
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性不受 RoHS 指令约束
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规等待供应商确认
美国 ECCN EAR99
美国协调关税表 8541.29.0095（其他；不适用进口关税）
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