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技术规格
集电极电流 (Iᴄ)@25°C3 A
集电极截止电流 (Iᴄᴇs)（最大值）100µA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce30 @ 500mA, 10V
频率 - 过渡2MHz
生命周期状态Active
制造商General Semiconductor
安装方式Stud Mount
工作温度-
封装/箱体TO-111-4, Stud
包装
Bulk
功率 - 最大20 W
系列-
封装类型（制造商）TO-111
晶体管类型-
Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic1.2V @ 100mA, 1A
集电极-发射极击穿电压（最大值）80 V
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性不受 RoHS 指令约束
MSL 级别 1 (无限制, ≤ 30°C/85% RH), 无需特殊包装
REACH 法规等待供应商确认
美国协调关税表 0000.00.0000（在协调关税表中未找到费率）
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