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技术规格
访问时间4 ns
时钟频率133 MHz
生命周期状态Obsolete
内存格式SRAM
内存接口Parallel
记忆组织256K x 18
内存大小4.5Mbit
内存类型Volatile
安装方式Surface Mount
工作温度0°C ~ 70°C (TA)
封装/箱体100-LQFP
包装
Bulk
参数编程Supported
系列-
封装类型（制造商）100-TQFP (14x20)
技术SRAM - Standard
电源电压3.135V ~ 3.6V
写入周期 (Twc)-
基本产品编号GVT71256G
扩展链接
Datasheets
环境及出口分类
RoHS 合规性不符合 RoHS 规定，无法进入欧盟市场
MSL 级别 3 (168 小时, ≤ 30°C/60% RH), 真空密封
REACH 法规根据要求提供 REACH 详细信息
美国 ECCN 3A991B2A 型
美国协调关税表 8542.32.0041（静态读写随机存取存储器（SRAM）；不征收进口税）
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